IC设计、器件表征与检测、材料工艺、超精密制造装备团队10人：国家重大人才工程1，四青2，教授4，副高1，讲师1，专技1)的研究方向包括模拟IC设计（电源芯片）、工艺与器件集成的可靠性以及失效分析；极紫外光刻的光刻胶合成与评估，镜面抛光，掩模制作与缺陷检测，基于同步辐射、自由电子激光等大科学装置（同步辐射装置的小型化、专业化集成）极紫外光刻（曝光/检测）；面向自旋电子学/量子传感的晶圆级器件的制造工艺、器件集成、微纳加工/超精密制造装备。【离子束表面抛光与沉积设备；用于IC的纳米压印设备；EUV光学成像与检测设备，X射线芯片表征与检测设备】
目前学术与前沿技术关注方向：
1）低功耗高端电源管理芯片/车规级/宇航级超低静态电流高端智能电源管理芯片；聚焦静电放电ESD的集成电路可靠性设计测试失效分析技术；[南开大学电光学院招生]
2）极紫外光刻技术光刻胶合成制造与刻蚀评估；化学/物理沉积制备5nm工艺节点以下极紫外光刻胶及其在存储/GAA逻辑芯片工艺上的验证；极紫外光刻掩模设计与制造、极紫外光刻掩模检测；与同步辐射EUV相关的离子束镜面抛光工艺与装备；[材料/电光学院招生]
3）超低功耗自旋芯片/自旋电子学的新材料/器件；晶圆级微纳加工与制造新方法学/微纳混合制造工艺开发；基于磁电/磁光器件所特有的4D电镜和同步辐射光源的原位表征方法；基于同步辐射光源的sub-20nm芯片XCT无损检测与缺陷检测；[材料/电光学院招生]
4）8/12英寸纳米压印光刻关键的光刻胶材料、套刻压印工艺技术与专属化装备；6/8/12英寸离子束沉积/抛光/刻蚀关键工艺与专属化装备；[南开大学材料/电光学院招生]
https://ceo.nankai.edu.cn/szll/dzkxygcx/lfsp.htm
2020年南开大学【IC设计、器件、材料工艺、超精密制造与检测装备】建组毕业生去向：
刘钊【2022-2023博后，摩擦电子学】：中国科学院兰州化学物理研究所百人青年研究员；摩擦学
高战胜【2019-2023博，二维铁磁材料与器件】：河南大学物理与电子学院讲师（211）；http://kchenmat.henu.edu.cn/info/1216/1664.htm；低维材料合成与器件表征
李清清【2019-2024博，稀土高熵合金催化】, 河海大学（常州校区）新能源学院讲师 （211）；有机电解质与固体电解质的物理沉积修饰与电池原位表征方法学与装备开发
张宇【2020-2023硕，二维铁磁异质结与器件表征】：天津瑞发科半导体IC设计
【2021-2024硕】孟逸飞：模拟电源芯片中隔离器设计[唯捷创芯天津]；郭亚东：电源管理芯片中电荷泵降压系统设计[摩尔线程西安]；徐凌云：二维材料与器件加工[华为海思北京]；李世成：微纳光电器件设计与仿真[华为海思北京]；周经（宁）：铁电材料与器件[华为海思成都]
课题组目前学生方向【41+14】：
一. 未来芯片材料与器件表征技术【27】：
1）晶圆级存储薄膜材料创制与阵列式高密度器件先进表征技术【6+7】【Materials for IC CHIPS】
管乐【2021博】：PLD铁电薄膜材料与器件
马翼飞【2021博】：SOT磁电材料与器件
鄢峰波【2022博】：PLD磁电薄膜材料与器件
刘峻峰【2023博】：磁-光-电耦合超快表征与仪器开发
杨金川【2024博】：铁电材料与器件
徐旸【2024宁帅博】：SOT磁电材料与器件
吴劲锐【2022宁帅硕】：薄膜材料与器件；姚蕊【合作硕】：二维磁电材料与器件
唐牧寒【2023硕】FESO器件与超快表征；王会新【宁帅硕】：磁电材料与器件
门兵【2024洪合作硕】：3D 铁电器件与应力表征；王肖薇【宁帅硕】：薄膜材料与器件
2024-2025学年第一组
2）X射线表征与检测分析技术在IC中的应用【1+5+8】：EUV光刻胶反应机制与性能评估；掩模缺陷检测与器件无损分析；基于同步辐射的原位、超快、元素分辨、无损、空间分辨表征方法与技术【X ray for IC CHIPS】
1）半导体电子敏感材料【高分辨光刻胶合成、机制、表征与性能评估】【8】
乔洋【2021博】：EUV有机无机杂化光刻胶合成与表征
王兴坤【2022直博】：物理沉积EUV光刻胶合成与表征
许钰滔【2023博】：光刻胶物理合成与机理表征
陈舒仪【2022硕】：光刻胶理论计算；闫子欣：EUV杂化光刻胶合成与表征；单一洋【合作硕】：ALD工艺与设备
谢雅卓【2023硕】：EUV光刻胶合成与表征
张钰【2024硕】：光刻胶DSA调控与LER仿真
2）超快表征与同步辐射表征技术，EUV/纳米压印掩模模板加工、缺陷检测、IC材料与器件无损检测【1+5】；
李镇江博士后【2024上海光源合作】：用于X射线器件的微纳制造与掩模加工
谢佳男【2023博】：X-射线检测与图像处理
葛晔平【2024博】：用于X射线光学器件的微纳制造与掩模加工
孙畅【2022合作硕】：稀土高熵合金自旋电催化与同步辐射表征技术
梁召垒【2023硕】：稀土高熵合金热催化与同步辐射表征技术
徐方浩【2024硕】：EUV计算光刻工艺过程仿真与实验验证
2024-2025学年第二组
二. MEMS设计、器件可靠性、晶圆级器件加工与电路系统集成【28】
1）MEMS设计与晶圆级器件加工【7+6】【Manufacturing for IC CHIPS】
程桐怀【2020博】：磁光器件与FIB微纳加工
史广月【2021博】：离子束刻蚀技术与微纳光学器件加工
李长亮【2022博】：电子束加工与微纳X射线光学器件
张鸥【2022博】：金刚石色心加工与器件
刘一鸣【2022博】：磁光自旋/手性材料与器件加工
王兵【2024博】：MEMS工艺与IC系统集成；
张一驰【2024博】：DSA与纳米压印光刻技术；
宫业辉【2022硕】： 微纳加工与微纳光学器件；李尤【合作硕】：刻蚀工艺与微纳光学器件
高翔【2023硕】：半导体刻蚀与微纳制造；黄泽昊【合作硕】：微纳加工与光学器件；孙士心：FIB微纳加工与磁光器件；
王子铭【2024硕】：FET传感器设计与晶圆制造
2024-2025学年第三组
2）模拟IC与可靠性设计【模拟IC设计与器件可靠性设计】【5+10】【Design for IC CHIPS】
蒋佳润【2022直博】：模拟IC电源芯片设计
伍波【2023直博】：模拟IC电源设计；
李家庚【2023肖合作直博】：模拟IC电源设计
王妍捷【2024直博】：MEMS器件与设计集成
胡志昊【2024博】：功率器件可靠性电路系统
刘希【2022硕】模拟电源IC设计；李赟：模拟电源IC设计
毛新瑞【2023硕】：模拟IC电源设计；任梦圆：信号链ADC设计；薛彬：工业控制安全；任知鑫【洪合作硕】：FeRAM器件与PUF数据存储安全
李桂琴【2024硕】：数据存储安全算法；谢怡雯：IGZO 3D FeFET器件与 PUF数据安全加密，路恒：嵌入式开发设计MCU，FPGA；侯佩茹：IC模拟设计，放大器设计
2024-2025学年第四组
2025年研究生招收方向：【以上方向常年欢迎博后申请】
1. AI辅助的光刻胶大模型与机器学习【需要计算机/计算化学/人工智能方向背景，博士1，优先级】
2. 基于同步辐射的原位超快空间分辨的表征方法学在EUV光刻中的应用【需要光学/物理/化学/材料/电子方向背景，博士1，优先级】
3. 半导体光刻/刻蚀设计、工艺，设备开发【需要物理/光学/精仪/电子/材料方向背景，博士1，优先级】
4. XPS设备设计与开发【需要光学/物理/化学/材料/电子方向背景，博士1，优先级】
5. EUV掩模版制造、掩模缺陷检测，3D NAND/DRAM/GAA器件检测 【需要光学/物理/电子/精仪方向背景，博士1，优先级】
6. 微纳制造与MEMS工艺集成【电子/物理/微电子/光学方向背景，博士】
7. 半导体光刻/刻蚀设计、工艺，设备开发【需要物理/光学/精仪/电子/材料方向背景，硕士】
8. EUV光刻新材料与工艺过程仿真验证【需要光学/物理/电子/计算机/软件/材料方向背景，硕士】
9. 模拟IC设计（1）、铁电存储器件与数据安全（1）、MEMS设计与微纳制造工艺（1）【微电子/电子/物理/光学工程方向背景，硕士】
课题组长期招收上述方向讲师/副教授1（编制）；百青计划博导1（tenure track），全年招收1-2 助理研究员/博士后（2年续聘后可转编）！【feng.luo@nankai.edu.cn】
南开大学半导体芯片材料与器件加工团队在材料生长方向拥有脉冲激光沉积PLD、原子层沉积ALD、CVD、MOCVD、PEMOVCVD、PEALD、MLD和磁控溅射等多套先进设备，BTU高温氧化扩散炉和快速热退火炉设备（RTA），在光刻（激光直写/纳米压印/电子束曝光/极紫外光刻）、刻蚀（RIE/IB）等方向拥有多台晶圆级设备，可以完成完整的工艺研发流片测试工作。关键技术包括EUV光刻干式光刻胶的研发工艺，纳米压印图形化平台，GAA刻蚀设备，原子层沉积与刻蚀ALD/ALE加工平台，在材料表征和性能测试方向拥有原子力显微镜、聚焦离子束显微镜、XPS、综合物性测量系统、VSM、以及4D透射/扫描电子显微镜等，还基于同步辐射集成电路元器件原位表征平台成立了上海光源/南开大学联合实验室。中心的集成电路失效分析实验室已储备集成电路可靠性测试能力，包括ESD测试（HBM/CDM）、LU测试、EOS测试、浪涌测试、TLP测试、电磁兼容测试、环境测试等方面；可提供电性故障分析、材料成分分析、切面结构分析、电路切割、电路修补、竞品设计分析等可靠性分析服务。成功解决了大规模SOC产品、多电源域多管脚产品、RF高频产品、高压产品和finfet等产品的ESD可靠性问题。涉及工艺：包括传统的CMOS、BCD、SOI工艺，以及目前最前沿的3D FINFET工艺。并与多家公司和科研单位具有长期稳定的深度合作关系，包括江苏鲁汶仪器、中科院微电子所先导工艺研发平台等，用于大型装备自主研发的能力。目前在电光学院已经形成一支在模拟芯片设计（射频芯片、电源管理芯片和数模信号转换器）和芯片可靠性测试以及失效分析方向的研究团队。材料学院的团队在极紫外光刻方向注重加强与半导体工业届紧密联系，通过与光刻胶企业彤程微电子、北京科华，芯片设计制造企业华为海思、长鑫存储、中芯国际、比利时IMEC，半导体设备公司鲁汶仪器、天仁微纳、极智芯科技等紧密合作，结合大科学装置如瑞士光源、美国APS光源、上海光源等公共科研平台，聚焦在sub-7nm工艺节点半导体先进制程的关键材料、工艺与装备方向。
