研究方向

南开大学讲席教授罗锋博士课题组(模拟IC设计、微纳加工与超精密制造团队)的研究方向包括模拟IC设计(电源芯片)、工艺与器件集成的可靠性以及失效分析;极紫外光刻的光刻胶合成与评估,镜面抛光,掩模制作与缺陷检测,基于同步辐射、自由电子激光等大科学装置(同步辐射装置的小型化、专业化集成)极紫外光刻(曝光/检测);面向自旋电子学/量子传感的晶圆级器件的制造工艺、器件集成、微纳加工/超精密制造装备。

1)低功耗高端电源管理芯片/车规级/宇航级超低静态电流高端智能电源管理芯片;聚焦静电放电ESD的集成电路可靠性设计测试失效分析技术;[南开大学电光学院招生]

2)极紫外光刻技术光刻胶合成制造与刻蚀评估;化学/物理沉积制备5nm工艺节点以下极紫外光刻胶及其在存储/GAA逻辑芯片工艺上的验证;极紫外光刻掩模设计与制造、极紫外光刻掩模检测;与同步辐射EUV相关的离子束镜面抛光工艺与装备;[材料/电光学院招生]

3)超低功耗自旋芯片/自旋电子学的新材料/器件;晶圆级微纳加工与制造新方法学/微纳混合制造工艺开发;基于磁电/磁光器件所特有的4D电镜和同步辐射光源的原位表征方法;基于同步辐射光源的sub-20nm芯片XCT无损检测与缺陷检测;[材料/电光学院招生]

48/12英寸纳米压印光刻关键的光刻胶材料、套刻压印工艺技术与专属化装备;6/8/12英寸离子束沉积/抛光/刻蚀关键工艺与专属化装备;[南开大学材料/电光学院招生]


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科研项目:

1.科技部重点研发专项“面向Sub-7nm 先进工艺节点集成电路核心器件的同步辐射表征技术及应用”,2022-2026,520万/1850万,课题负责人。

2.科技部重点研发专项“生物纳米孔基因测序仪”,2022-2024,200万/4000万(2000万公司匹配),信号放大以及电路系统集成,课题参与。

3.基金委重大项目“非常规激发染料的构效调控及产品工程科学基础”,2021-2024,100万,EUV光刻胶合成与性能评估,课题参与。

研究生课题:

【2019】博士:李清清(磁诱导稀土合金催化),高战胜(二维铁磁材料与器件)


【2020】博士:程桐怀(FIB微纳加工,手性磁光器件);硕士:张宇(二维铁磁材料与器件


【2021】博士:乔洋(EUV光刻胶合成与光刻工艺),史广月(EUV曝光与刻蚀工艺,微纳光学器件),管乐(PLD薄膜器件,自旋电子学),马翼飞(FIB微纳加工,微纳制造,MRAM器件);硕士:李世成(严纯华院士代招,铌酸锂器件加工与离子束抛光工艺),徐凌云(二维铁磁材料与器件),孟逸飞(电源芯片设计),郭亚东(ESD设计),周经(宁帅硕士学生,PLD薄膜器件,铁电氧化物存储


【2022】博士:材料学院(稀土磁电薄膜器件);(有机自旋电子)直博王兴坤(EUV光刻胶物理沉积);电光学院直博蒋佳润(电源芯片设计);电光学院2022级硕士保研(刘希,史嘉雯,电失效ESD设计,电源管理芯片设计)合作方:电光学院肖知明研究员


2022级研究生持续招聘中!!!接受1-2名报考南开大学电光学院的硕士调剂!


材料学院2022级博士:基于微纳晶圆尺度制造的光学器件;EUV掩模检测的光学系统设计与装备集成(南开大学深圳研究院/深圳综合粒子研究院联合完成课题)


材料学院2022级硕士(5名,EUV光刻胶制造方向1;基于纳米压印的微纳光学VR/AR晶圆制造方向1;磁存储器件与MRAM芯片方向1名;光自旋芯片器件方向1磁电氧化物薄膜器件方向1名【宁帅】);


【2023】级研究生课题:EUV光刻胶制造方向基于纳米压印的微纳光学VR/AR晶圆制造方向,离子束/电子束超精密表面加工方向MRAM磁存储器件与芯片方向光自旋芯片器件,电源管理芯片设计方向EUV掩模检测的光学系统设计与装备集成


欢迎本科生来实验室在以下方向做毕业论文和科研实践!



本科科研方向:磁存储器件与MRAM芯片;EUV光刻胶制造;基于纳米压印的微纳光学;电源管理芯片设计


课题组招收上述方向讲师1(编制)以及专业技术岗1(编制)[课题组额外丰厚绩效津贴,不低于工资],

https://rsc.nankai.edu.cn/2022/0303/c13662a433627/page.htm


全年招收1-2 助理研究员/博士后(2年续聘后可转编)!【feng.luo@nankai.edu.cn】


南开大学半导体芯片材料与器件加工团队在材料生长向拥有脉冲激光沉积、原子层沉积和磁控溅射等多套先进设备,BTU高温氧化扩散炉、多种PECVD, LPCVD等薄膜设备和快速热退火炉设备(RTA),在光刻(激光直写/纳米压印/电子束曝光/极紫外光刻)、刻蚀(RIE/IB)等方向拥有多台晶圆级设备,可以完成完整的工艺研发流片测试工作。关键技术包括EUV光刻干式光刻胶的研发工艺,纳米压印图形化平台,GAA刻蚀设备,原子层沉积与刻蚀ALD/ALE加工平台,在材料表征和性能测试方向拥有原子力显微镜、聚焦离子束显微镜、XPS、综合物性测量系统、以及4D透射/扫描电子显微镜等,还基于同步辐射集成电路元器件原位表征平台成立了上海光源/南开大学联合实验室。中心的集成电路失效分析实验室已储备集成电路可靠性测试能力,包括ESD测试(HBM/CDM)、LU测试、EOS测试、浪涌测试、TLP测试、电磁兼容测试、环境测试等方面;可提供电性故障分析、材料成分分析、切面结构分析、电路切割、电路修补、竞品设计分析等可靠性分析服务。成功解决了大规模SOC产品、多电源域多管脚产品、RF高频产品、高压产品和finfet等产品的ESD可靠性问题。涉及工艺:包括传统的CMOSBCDSOI工艺,以及目前最前沿的3D FINFET工艺(国内尚未成熟)。并与多家公司和科研单位具有长期稳定的深度合作关系,包括江苏鲁汶仪器、中科院微电子所先导工艺研发平台等,用于大型装备自主研发的能力。目前在电光学院已经形成一支在模拟芯片设计(射频芯片、电源管理芯片和数模信号转换器)和芯片可靠性测试以及失效分析方向的研究团队。材料学院的团队在极紫外光刻方向注重加强与半导体工业届紧密联系,通过与光刻胶企业彤程微电子、北京科华,芯片设计制造企业华为海思、长鑫存储、中芯国际、比利时IMEC,半导体设备公司鲁汶仪器、天仁微纳、极智芯科技等紧密合作,结合大科学装置如瑞士光源、美国APS光源、上海光源等公共科研平台,聚焦在sub-7nm工艺节点半导体先进制程的关键材料、工艺与装备方向。


个人简历

罗锋博士201012月加入马德里高等研究院纳米研究所,201312月提前获得研究教授(终身教职副教授)20166月晋升为资深研究教授(终身教职正教授)20211月全职加入南开大学材料科学与工程学院任讲席教授。罗锋博士主要研究方向为:集成电路相关多项产业技术包括可靠性保护技术、可靠性失效分析技术、超低功耗设计技术、传感器芯片设计技术;在微加工技术与精密制造/先进纳加工技术等均取得代表性的工作;主持西班牙杰出青年基金,西班牙面上基金和参与中国基金委重大项目,基金委纳米制造重大计划。本课题组在工业应用领域关注于超高密度的磁存储如硬盘(HDD),非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储(MRAM)的关键技术以及微机电系统/纳机电系统(MEMS/NEMS)磁光/磁电传感器阵列技术。与硬盘企业希捷(Seagate) 日立全球技术中心/西部数据(Hitachi GST/West Digital);磁性随机存储研究机构比利时微电子中心(IMEC)/法国能源署信息技术实验室磁自旋技术部(CEA-LETI-SPINTEC)以及企业 eVaderis/Leuven Instruments/上海磁宇;半导体企业华为,小米,磁电传感器公司 Crocus/Hprobe;与纳米压印公司 GermanLitho等均保持紧密的合作伙伴关系。

2021.01-现在,南开大学材料科学与工程学院讲席教授

2018.01-2020.12,西安交通大学机械工程学院校聘讲座教授

2016.07-2020.12,西班牙马德里高研院纳米科学与技术研究所,教授(Tenured)

2010.12-2016.06,西班牙马德里高研院纳米科学与技术研究所,研究教授(Tenured)

2009.11-2010.11,北大学工学院材料科学与工程系,特聘研究员PI

2006.10-2009.11,瑞士保罗谢尔研究所微纳技术实验室,博士后,导师ETHZ教授Laura Heyderman

2004.10-2006.10,德国马克思-普朗克微结构与物理研究所,博士后,导师 J.Kirschner

1999.09-2004.06, 北京大学化学与分子工程学院,材料化学博士/导师严纯华院士

1995.09-1999.06, 北京大学化学与分子工程学院,物理化学本科/导师刘忠范院士

科研项目:

1.科技部重点研发专项"面向Sub-7nm 先进工艺节点集成电路核心器件的同步辐射表征技术及应用",2022-2026,520万/1850万,课题负责人。

2.科技部重点研发专项"生物纳米孔基因测序仪",2022-2024,200万/4000万(2000万公司匹配),课题参与。

3.基金委重大项目"非常规激发染料的构效调控及产品工程科学基础",2021-2024,100万,EUV光刻胶课题参与。



代表性成果

在微纳加工技术/超精密制造装备与超高密度磁存储关键工艺取得一些有代表性的工作:

1)7nm node 极紫外(EUV)光刻技术曝光剂研发,7nm Node/13nm 周期 EUV 干涉光刻(IL)工艺,用于 EUV/X-ray 阵列技术的 Si3N4掩模制造工艺; 

2)利用 EUVIL 制备出光学方法所能得到的 20nm 最小二维点阵用于下一代的磁记录介质;

3)8/12 英寸下一代 Sub-20nm 自旋转移转矩磁性随机存储芯片 STT-MRAM工艺(与最好的三星工艺技术相媲美),50nm 分辨率, 1:7.5 全球最高的深宽比结构的 8/12英寸纳米压印装备用于磁传感器阵列工艺;

4)与 GermanLitho/ 天仁微纳科技和 Leuven Instrument 产学研合作,共同开发出专注于磁传感器阵列/MRAM 2/4/6/8 英寸纳米压印专用设备和 8/12 英寸 RIE/IBE 双刻蚀技术磁性材料专属刻蚀装备。


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