研究方向

1)超低功耗自旋芯片/自旋电子学的新材料/器件;晶圆级微纳加工与制造新方法学/微纳混合制造工艺开发;Sub-20nm芯片XCT无损检测;基于磁电/磁光器件所特有的4D电镜和同步辐射光源的原位表征方法;

2)低功耗高端电源管理芯片/车规级/宇航级超低静态电流高端智能电源管理芯片;聚焦静电放电ESD的集成电路可靠性设计测试失效分析技术

3)极紫外光刻技术光刻胶制造与评估,化学/物理沉积制备5nm工艺节点以下极紫外光刻胶及其在磁存储芯片工艺上的验证;极紫外光刻掩膜设计与制造

4)8/12英寸极紫外光刻掩模检测/纳米压印光刻关键工艺技术与装备;8/12英寸离子束沉积/抛光/刻蚀关键工艺与装备

在以上研究方向招聘2022年团队百青/特聘研究员1-2名(PI,40-60万薪酬,独立1博士2硕士名额/年);特聘副研究员(南开大学标准30万薪酬,6年tenure track合同+课题组津贴/1名);讲师(1名);博士后(南开大学20万标准薪水+10-20万团队固定津贴+课题组年终奖励/2名);2022级硕士(2-3名);2022级博士(4名)持续招聘中!!!

个人简历

罗锋博士201012月加入马德里高等研究院纳米研究所,201312月提前获得研究教授(终身教职副教授)20166月晋升为资深研究教授(终身教职正教授)20211月全职加入南开大学材料科学与工程学院任讲席教授。罗锋博士主要研究方向为:集成电路相关多项产业技术包括可靠性保护技术、可靠性失效分析技术、超低功耗设计技术、传感器芯片设计技术;在微加工技术与精密制造/先进纳加工技术等均取得代表性的工作;主持西班牙杰出青年基金,西班牙面上基金和参与中国基金委重大项目,基金委纳米制造重大计划。本课题组在工业应用领域关注于超高密度的磁存储如硬盘(HDD),非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储(MRAM)的关键技术以及微机电系统/纳机电系统(MEMS/NEMS)磁光/磁电传感器阵列技术。与硬盘企业希捷(Seagate) 日立全球技术中心/西部数据(Hitachi GST/West Digital);磁性随机存储研究机构比利时微电子中心(IMEC)/法国能源署信息技术实验室磁自旋技术部(CEA-LETI-SPINTEC)以及企业 eVaderis/Leuven Instruments/上海磁宇;半导体企业华为,小米,磁电传感器公司 Crocus/Hprobe;与纳米压印公司 GermanLitho等均保持紧密的合作伙伴关系。

2021.01-现在,南开大学材料科学与工程学院讲席教授

2018.01-2020.12,西安交通大学机械工程学院校聘讲座教授

2010.12-2020.12,西班牙马德里高研院纳米科学与技术研究所,研究教授/资深研究教授(Tenured)


2009.11-2010.11,北京大学工学院材料科学与工程系,特聘研究员PI

2006.10-2009.11,瑞士保罗谢尔研究所微纳技术实验室,博士后,导师ETHZ教授Laura Heyderman

2004.10-2006.10,德国马克思-普朗克微结构与物理研究所,博士后,导师J.Kirschner

1999.09-2004.06, 北京大学化学与分子工程学院,材料化学博士/导师严纯华院士

1995.09-1999.06, 北京大学化学与分子工程学院,物理化学本科/导师刘忠范院士


代表性成果

在微纳加工技术/超精密制造装备与超高密度磁存储关键工艺取得一些有代表性的工作:

1)7nm node 极紫外(EUV)光刻技术曝光剂研发,7nm Node/13nm 周期 EUV 干涉光刻(IL)工艺,用于 EUV/X-ray 阵列技术的 Si3N4掩模制造工艺; 

2)利用 EUVIL 制备出光学方法所能得到的 20nm 最小二维点阵用于下一代的磁记录介质;

3)8/12 英寸下一代 Sub-20nm 自旋转移转矩磁性随机存储芯片 STT-MRAM工艺(与最好的三星工艺技术相媲美),50nm 分辨率, 1:7.5 全球最高的深宽比结构的 8/12英寸纳米压印装备用于磁传感器阵列工艺;

4)与 GermanLitho/ 天仁微纳科技和 Leuven Instrument 产学研合作,共同开发出专注于磁传感器阵列/MRAM 2/4/6/8 英寸纳米压印专用设备和 8/12 英寸 RIE/IBE 双刻蚀技术磁性材料专属刻蚀装备。